В Токийском Институте Науки создали свверхмалое устройство памяти на основе оксида гафния

Команда исследователей из Токийского Института Науки под предводительством Ютаки Мадзимы (Yutaka Majima) создала сегнетоэлектрический туннельный переход (технология FTJ) толщиной в 25 нанометров, чем реализовали на практике иной способ хранения информации, нежели традиционные кремниевые чипы памяти.

Сама по себе технология FTJ подразумевает использование определенных материалов, способных изменять собственную внутреннюю электрическую полярность, тем самым влияя на то, насколько хорошо они проводят ток. Именно это свойство позволяет хранить и перезаписывать данные на них в привычном для информатики бинарном формате. Первые исследования данной технологии датируются еще 1971 годом, однако доступные на тот момент материалы крайне сильно страдали от утечек энергии (и, соответственно, хранящейся информации) через пространство между молекулярными кристаллами.

В 2011 году, однако, это изменилось — выяснилось, что и без того широко используемый оксид гафния обладает необходимыми для применения этой технологии свойствами, и к сегодняшнему дню, спустя 15 лет, удалось создать сверхмалое устройство (опять-таки, всего 25 нм), по большей части лишенное данной проблемы (в том числе — из-за того, что оно настолько мало, что и пространства для утечек физически стало значительно меньше). При этом выяснилось, что с уменьшением размеров производительность только растет — это развенчивает соответствующий миф, устоявшийся в широком понимании электроники.

При условии масштабирования применения данной технологии, открываются огромные просторы — многие типы устройств получат возможность работать без подзарядки значительно дольше, за счет уменьшения расхода электроэнергии на поддержание работы памяти. Практический пример — смарт-часы, продвинутые калькуляторы, рации и другие девайсы малого размера.